Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB6N70TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB6N70TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 700 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12837592
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB6N70TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
700 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB6
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STB5N80K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
205
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB5N80K5-DG
YUNIT PRESYO
0.77
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQP3N60C
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
HUFA75429D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
FDP2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3