Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB7N65CTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB7N65CTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12838942
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB7N65CTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
173W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB7
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQB7N65CTMCT
FQB7N65CTMTR
FQB7N65CTMDKR
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STB8N65M5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
531
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB8N65M5-DG
YUNIT PRESYO
1.20
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRF540NSTRLPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7309
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF540NSTRLPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.52
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
FDP025N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3