Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB8N60CTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB8N60CTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12836193
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB8N60CTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB8N60
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQB8N60CTM-DG
FQB8N60CTMFSDKR
FQB8N60CTMFSTR
FQB8N60CTMFSCT
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STB8NM60D
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
2874
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB8NM60D-DG
YUNIT PRESYO
0.83
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STB6N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
11994
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB6N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.57
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
R6004ENJTL
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
R6004ENJTL-DG
YUNIT PRESYO
0.49
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
FCB260N65S3
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
6
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FCB260N65S3-DG
YUNIT PRESYO
1.40
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
IRFBC40ASTRLPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
600
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFBC40ASTRLPBF-DG
YUNIT PRESYO
1.96
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
ATP301-TL-H
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
5HN01M-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
