Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB9N08LTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB9N08LTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12836504
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB9N08LTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
80 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB9
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDP047N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
FDPF045N10A
MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
