Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQD12N20TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQD12N20TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12838604
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQD12N20TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD12N20
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQD12N20TMFSCT
FQD12N20TMFSTR
FQD12N20TM-DG
FQD12N20TMFSDKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FQD12N20LTM
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
4955
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FQD12N20LTM-DG
YUNIT PRESYO
0.27
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
FQB6N90TM_AM002
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
FCH072N60
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3