Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQD13N06TF
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQD13N06TF-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12839362
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQD13N06TF Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD1
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
2,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRLR024TRPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
5762
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRLR024TRPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.42
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
NVD3055-150T4G-VF01
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NVD3055-150T4G-VF01-DG
YUNIT PRESYO
0.24
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
FDBL86363-F085
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
FQP9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
