Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQD13N10LTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQD13N10LTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
3288 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839806
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQD13N10LTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD13N10
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQD13N10LTMCT
FQD13N10LTM-DG
FQD13N10LTMTR
FQD13N10LTMDKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQD20N06LTF
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
FQD6N40CTF
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
FDS6680AS
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC