FQD13N10LTM
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQD13N10LTM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQD13N10LTM-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Imbentaryo:

3288 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839806
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQD13N10LTM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD13N10

Datasheet at Dokumento

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
FQD13N10LTMCT
FQD13N10LTM-DG
FQD13N10LTMTR
FQD13N10LTMDKR
Standard na Pakete
2,500

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQD20N06LTF

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

onsemi

FQD6N40CTF

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

onsemi

FDS6680AS

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

FQD2N80TM

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK