Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQD4P25TM-WS
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQD4P25TM-WS-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12839414
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQD4P25TM-WS Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD4P25
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQD4P25TM_WS-DG
FQD4P25TM_WSDKR-DG
FQD4P25TM-WSDKR
FQD4P25TM-WSTR
FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM-WSCT
FQD4P25TM_WSDKR
FQD4P25TM_WSTR
FQD4P25TM_WSCT-DG
FQD4P25TM_WSCT
FQD4P25TM_WSTR-DG
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDS7288N3
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F