FQI12N50TU
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQI12N50TU

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQI12N50TU-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Imbentaryo:

12849571
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQI12N50TU Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI1

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
1,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IRF740ALPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
865
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF740ALPBF-DG
YUNIT PRESYO
1.19
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQP16N25C

MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO4290A

MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4456

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

onsemi

FDS9431A-F085

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC