Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQI13N50CTU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQI13N50CTU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
12849505
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQI13N50CTU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
195W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI13N50
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFSL11N50APBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFSL11N50APBF-DG
YUNIT PRESYO
1.49
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
AOT2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
FQP47P06_NW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
