Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQI1P50TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQI1P50TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
12849659
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQI1P50TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI1
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF9Z14LPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF9Z14LPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.69
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
FQAF44N08
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF
