FQI27P06TU
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQI27P06TU

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQI27P06TU-DG

Paglalarawan:

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK

Imbentaryo:

12848395
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQI27P06TU Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
27A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I2PAK
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI2

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
1,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

onsemi

FDP4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD6N50

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252

onsemi

FQD30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK