Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQI4N20LTU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQI4N20LTU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
12849068
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQI4N20LTU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI4
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF610LPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF610LPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.72
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AON7516
MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
FQP17P10
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
FCMT099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
