Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQI7N60TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQI7N60TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
1000 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12836358
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQI7N60TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tube
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI7N60
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FAIFSCFQI7N60TU
2832-FQI7N60TU
2156-FQI7N60TU-OS
2832-FQI7N60TU-488
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
5HN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
HUFA76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
