Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQN1N60CBU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQN1N60CBU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Imbentaryo:
12849900
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQN1N60CBU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-92-3
Package / Kaso
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Numero ng Produkto
FQN1
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FQN1N60CTA
TAGAPAGGAWA
Fairchild Semiconductor
DAMI NA BUMILI
80002
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FQN1N60CTA-DG
YUNIT PRESYO
0.20
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AOK2500L
MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
FDMS3008SDC
MOSFET N-CH 30V 29A DUAL COOL56
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
