Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP10N20C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP10N20C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12840196
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP10N20C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
72W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP10
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FQP10N20C-OS
ONSONSFQP10N20C
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RCX100N25
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
429
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RCX100N25-DG
YUNIT PRESYO
0.86
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
IRF630
TAGAPAGGAWA
Harris Corporation
DAMI NA BUMILI
11535
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF630-DG
YUNIT PRESYO
0.80
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCMT360N65S3
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
NVE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252