Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP13N50C_F105
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP13N50C_F105-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12838692
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP13N50C_F105 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
195W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFB13N50APBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
1693
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFB13N50APBF-DG
YUNIT PRESYO
1.46
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
FDP2710-F085
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
