Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP19N20C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP19N20C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12850274
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP19N20C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
139W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP19
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2166-FQP19N20C-488
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF200B211
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
4746
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF200B211-DG
YUNIT PRESYO
0.51
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP19NF20
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP19NF20-DG
YUNIT PRESYO
0.63
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCB20N60FTM
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
FDP6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
AO3415
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L
