Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP22P10
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP22P10-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12838330
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP22P10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
125W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP2
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF9Z24NPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
1872
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF9Z24NPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.25
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUFA75307T3ST
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
3LP01SS-TL-H
MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
FCH072N60F-F085
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
