FQP2N30
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQP2N30

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQP2N30-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 300 V 2.1A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3

Imbentaryo:

12837245
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQP2N30 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
300 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
40W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP2

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
50

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
STP12NK30Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
508
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP12NK30Z-DG
YUNIT PRESYO
0.99
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDMS86181E

FET 100V 4.2 MOHM PQFN56

onsemi

FQD4P40TM

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

onsemi

FDMB668P

MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP

onsemi

FQB34P10TM

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK