Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP2N30
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP2N30-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 300 V 2.1A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12837245
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP2N30 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
300 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
40W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP2
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STP12NK30Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
508
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP12NK30Z-DG
YUNIT PRESYO
0.99
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDMS86181E
FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
FQD4P40TM
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
FDMB668P
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
