Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP2N60C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP2N60C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12850836
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP2N60C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
54W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP2
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFBC20PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
7738
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFBC20PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.47
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
R6050JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
HUFA76437P3
MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3
