FQP3N60
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQP3N60

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQP3N60-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3

Imbentaryo:

12837977
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQP3N60 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
75W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP3

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
1,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
STP3NK60Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5888
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP3NK60Z-DG
YUNIT PRESYO
0.58
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRFBC30PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
17159
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFBC30PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.63
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDBL9401-F085

MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

onsemi

FQD4N25TM

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

onsemi

FDMS7572S

MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN

onsemi

FQD5N60CTF

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK