Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP3N60
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP3N60-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12837977
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP3N60 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
75W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP3
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STP3NK60Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5888
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP3NK60Z-DG
YUNIT PRESYO
0.58
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRFBC30PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
17159
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFBC30PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.63
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDBL9401-F085
MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
FQD4N25TM
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
FDMS7572S
MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN