Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
DR Congo
Argentina
Turkey
Romania
Lithuania
Norway
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finland
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Montenegro
Taga ruso
Belgium
Sweden
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Moldova
Alemanya
Netherlands
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
Pransiya
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Portugal
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanya
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP55N10
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP55N10-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
RFQ Online
12846879
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP55N10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
155W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP55
Datasheet at Dokumento
Datasheet
FQP55N10
Mga Datasheet
FQP55N10
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
FDP61N20
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
103
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FDP61N20-DG
YUNIT PRESYO
1.10
URI ng Palitan
MFR Recommended
BILANG NG BAHAGI
PSMN009-100P,127
TAGAPAGGAWA
NXP Semiconductors
DAMI NA BUMILI
291
DiGi BAHAGI NG NUMERO
PSMN009-100P,127-DG
YUNIT PRESYO
1.44
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP60NF10
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
980
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP60NF10-DG
YUNIT PRESYO
1.23
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
PSMN015-100P,127
TAGAPAGGAWA
Nexperia USA Inc.
DAMI NA BUMILI
7793
DiGi BAHAGI NG NUMERO
PSMN015-100P,127-DG
YUNIT PRESYO
1.06
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP40NF10
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
569
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP40NF10-DG
YUNIT PRESYO
0.95
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQPF10N20
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
FDP030N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF634B-FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA