Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP6N15
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP6N15-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12850575
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP6N15 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
150 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
63W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP6
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RCX080N25
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
246
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RCX080N25-DG
YUNIT PRESYO
0.43
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
