Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP6N50C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP6N50C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 5.5A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12838125
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP6N50C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
98W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP6
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STP9NK50Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
477
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP9NK50Z-DG
YUNIT PRESYO
1.05
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IRF730PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
23512
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF730PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.60
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP7NK40Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
9050
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP7NK40Z-DG
YUNIT PRESYO
0.70
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDD3680
MOSFET N-CH 100V 25A TO252
FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
AUIRLS4030TRL
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
