Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP7N65C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP7N65C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12837553
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
4uvb
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP7N65C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
160W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP7
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STP9NK65Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP9NK65Z-DG
YUNIT PRESYO
1.54
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP5N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
33
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP5N60M2-DG
YUNIT PRESYO
0.53
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP5N80K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
717
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP5N80K5-DG
YUNIT PRESYO
0.67
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
