Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP8N90C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP8N90C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12850483
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP8N90C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
171W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP8
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STP6NK90Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
990
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP6NK90Z-DG
YUNIT PRESYO
1.41
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXTP6N100D2
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
395
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTP6N100D2-DG
YUNIT PRESYO
4.59
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
