FQP9N25C
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQP9N25C

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQP9N25C-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3

Imbentaryo:

12850693
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQP9N25C Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
74W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP9

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
1,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
RCX100N25
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
429
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RCX100N25-DG
YUNIT PRESYO
0.86
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDB8874

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

alpha-and-omega-semiconductor

AOT284L

MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220

onsemi

FQP17N08

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

onsemi

HUFA75332S3S

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK