Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQP9N25C
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQP9N25C-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
12850693
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
4ljF
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQP9N25C Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
74W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
FQP9
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RCX100N25
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
429
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RCX100N25-DG
YUNIT PRESYO
0.86
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB8874
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
AOT284L
MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220
FQP17N08
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3