Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQPF13N06
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQPF13N06-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 9.4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Imbentaryo:
12850314
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQPF13N06 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
24W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220F-3
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQPF1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFIZ24GPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
1064
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFIZ24GPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.67
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB4020P
MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
FDS7079ZN3
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
