Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQPF19N10
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQPF19N10-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Imbentaryo:
12850257
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQPF19N10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
38W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220F-3
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQPF19
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFI530NPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
7816
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFI530NPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.52
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQPF13N50CT
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FDMS7650DC
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
AON7444
MOSFET N-CH 60V 9A/33A 8DFN
