Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQPF9N25CT
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQPF9N25CT-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Imbentaryo:
12848195
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQPF9N25CT Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
38W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220F-3
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQPF9
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2832-FQPF9N25CT-488
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RCX100N25
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
429
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RCX100N25-DG
YUNIT PRESYO
0.86
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STF16NF25
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
886
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STF16NF25-DG
YUNIT PRESYO
0.86
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FCH190N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
