FQU1N60TU
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQU1N60TU

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQU1N60TU-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK

Imbentaryo:

12838625
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQU1N60TU Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU1

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
5,040

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
STD1NK60-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5751
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD1NK60-1-DG
YUNIT PRESYO
0.38
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

infineon-technologies

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

onsemi

FQU11P06TU

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK

onsemi

FQPF5P20

MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F