Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQU1N60TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQU1N60TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12838625
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQU1N60TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
5,040
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD1NK60-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
5751
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD1NK60-1-DG
YUNIT PRESYO
0.38
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
BSS84PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
FQU11P06TU
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
