Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQU2N100TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQU2N100TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12839619
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQU2N100TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU2N100
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-FQU2N100TU-OS
ONSONSFQU2N100TU
Standard na Pakete
70
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STU7N105K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU7N105K5-DG
YUNIT PRESYO
1.21
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
MTY100N10E
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
