Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQU2N60TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQU2N60TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12850182
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQU2N60TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU2
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
5,040
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD2HNK60Z-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3054
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD2HNK60Z-1-DG
YUNIT PRESYO
0.51
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STU2N62K3
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU2N62K3-DG
YUNIT PRESYO
0.52
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
AON6284
MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
FDP75N08
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
AO3419
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
