Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQU2N90TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQU2N90TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12839098
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQU2N90TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU2
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
5,040
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STU2N105K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
6967
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STU2N105K5-DG
YUNIT PRESYO
0.75
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDD4243-F085
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
FQP32N20C
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
FDMC7672_F125
MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
