Numero ng Produkto ng Tagagawa:
HUF75617D3
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
HUF75617D3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12850360
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
HUF75617D3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UltraFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
64W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
HUF75
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
75
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFU3910PBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
3219
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFU3910PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.36
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN