Numero ng Produkto ng Tagagawa:
HUF76609D3
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
HUF76609D3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12930580
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
HUF76609D3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
UltraFET™
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
49W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
HUF76
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
75
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRLU120NPBF
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
9600
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRLU120NPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.30
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUFA75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
AOD2904
MOSFET N-CH 100V 10.5A/70A TO252
