HUF76629D3ST
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

HUF76629D3ST

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

HUF76629D3ST-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Imbentaryo:

17120 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839005
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

HUF76629D3ST Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
UltraFET™
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
110W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
HUF76629

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Standard na Pakete
2,500

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQAF11N40

MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF

onsemi

FDS6699S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRF1404Z

MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB

onsemi

NTTFS4821NTAG

MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN