MJ11012G
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

MJ11012G

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

MJ11012G-DG

Paglalarawan:

TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Detalyadong Paglalarawan:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Imbentaryo:

32 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12850432
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

MJ11012G Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
Bipolar (BJT), Single Bipolar Transistors
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tray
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng Transistor
NPN - Darlington
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
30 A
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
kapangyarihan - Max
200 W
Dalas - Paglipat
4MHz
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 200°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Package / Kaso
TO-204AA, TO-3
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-204 (TO-3)
Base Numero ng Produkto
MJ11012

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet
MJ11012,15,16

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
MJ11012G-DG
ONSONSMJ11012G
2156-MJ11012G-OS
MJ11012GOS
2832-MJ11012G
Standard na Pakete
100

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FJX733YTF

TRANS PNP 50V 0.15A SOT323

onsemi

BC549_J35Z

TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3

onsemi

BC856BM3T5G

TRANS PNP 65V 0.1A SOT723

onsemi

BC857BTT1

TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416