Numero ng Produkto ng Tagagawa:
MTW32N20E
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
MTW32N20E-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 200 V 32A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Imbentaryo:
12843836
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
MTW32N20E Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
180W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
MTW32
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
MTW32N20EOS
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXTQ50N20P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTQ50N20P-DG
YUNIT PRESYO
2.44
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTJS4151PT1
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
MTD3055VL
MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3
NTTFS4937NTAG
MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
