Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NDD03N80Z-1G
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NDD03N80Z-1G-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak
Imbentaryo:
12842417
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NDD03N80Z-1G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
96W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
NDD03
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Standard na Pakete
75
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
3 (168 Hours)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD2N80K5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
6117
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD2N80K5-DG
YUNIT PRESYO
0.54
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
FCU3400N80Z
TAGAPAGGAWA
Fairchild Semiconductor
DAMI NA BUMILI
1691
DiGi BAHAGI NG NUMERO
FCU3400N80Z-DG
YUNIT PRESYO
0.56
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTP5862NG
MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
NVTFS5C454NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
NTD4965NT4G
MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
