Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NDT02N60ZT1G
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NDT02N60ZT1G-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Imbentaryo:
12840723
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NDT02N60ZT1G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-223 (TO-261)
Package / Kaso
TO-261-4, TO-261AA
Base Numero ng Produkto
NDT02
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STN1HNK60
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
45248
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STN1HNK60-DG
YUNIT PRESYO
0.37
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
