Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NTBS9D0N10MC
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NTBS9D0N10MC-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
1370 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12976029
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NTBS9D0N10MC Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 131µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1695 pF @ 50 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
NTBS9
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
