NTD6600N-1G

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

NTD6600N-1G

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

NTD6600N-1G-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK

Imbentaryo:

RFQ Online

12930536

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

NTD6600N-1G Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

100 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

12A (Ta)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

5V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

700 pF @ 25 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

I-PAK

Package / Kaso

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Base Numero ng Produkto

NTD66

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

2156-NTD6600N-1G-ON

ONSONSNTD6600N-1G

Standard na Pakete

75

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F

onsemi

FDD5N50FTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

onsemi

NVMFS5C604NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN

onsemi

FDD5N50NZFTM

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK