NTHL1000N170M1

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

NTHL1000N170M1

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

NTHL1000N170M1-DG

Paglalarawan:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 1700 V 4.2A (Tc) 48W Through Hole TO-247-3

Imbentaryo:

406 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock

13255985

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

NTHL1000N170M1 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

Tube

Serye

-

Katayuan ng Produkto

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

1700 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

4.2A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

20V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

1.43Ohm @ 2A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.3V @ 640µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -15V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

150 pF @ 1000 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

48W

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 175°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-247-3

Package / Kaso

TO-247-3

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

488-NTHL1000N170M1

Standard na Pakete

450

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

Not Applicable

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

infineon-technologies

ISK018NE1LM7AULA1

ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET

infineon-technologies

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET

onsemi

NVBG030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E