Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NTMS10P02R2G
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NTMS10P02R2G-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Imbentaryo:
2644 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12857001
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NTMS10P02R2G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
2.5V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3640 pF @ 16 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.6W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-SOIC
Package / Kaso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Numero ng Produkto
NTMS10
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
2832-NTMS10P02R2GTR
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-DG
NTMS10P02R2GOS-DG
ONSONSNTMS10P02R2G
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NP88N075KUE-E1-AZ
TRANSISTOR
RFD16N05LSM
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
