Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NVB190N65S3
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NVB190N65S3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12848144
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NVB190N65S3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
SuperFET® III
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
162W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
NVB190
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
NVB190N65S3F
TAGAPAGGAWA
onsemi
DAMI NA BUMILI
752
DiGi BAHAGI NG NUMERO
NVB190N65S3F-DG
YUNIT PRESYO
1.75
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTNS3190NZT5G
MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
AOWF11S65
MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
AOT210L
MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO220
