Numero ng Produkto ng Tagagawa:
NVBG040N120M3S
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
NVBG040N120M3S-DG
Paglalarawan:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Imbentaryo:
800 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13256175
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
NVBG040N120M3S Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
57A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
18V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
263W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
D2PAK-7
Package / Kaso
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
488-NVBG040N120M3STR
488-NVBG040N120M3SDKR
488-NVBG040N120M3SCT
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APL1001J
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP
APT47F60J
MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
