Numero ng Produkto ng Tagagawa:
RFG60P05E
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
RFG60P05E-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Imbentaryo:
12857190
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
RFG60P05E Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
50 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
215W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247-3
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
RFG60
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXTH76P10T
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
3540
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXTH76P10T-DG
YUNIT PRESYO
3.86
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
NVMFS5C450NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVATS5A108PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
