Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SSR1N60BTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SSR1N60BTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
12841572
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SSR1N60BTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
215 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
SSR1N
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STD1NK60T4
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
7455
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD1NK60T4-DG
YUNIT PRESYO
0.36
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NTMJS1D3N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
NDS355AN-F169
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
NTD23N03R
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
